Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（“Toshiba”）已在第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，应用于光伏逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备。Toshiba现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。
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最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，它采用Toshiba第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基(JBS)结构 [1]。在结势垒中使用新型金属，有助于这些新产品实现前沿的[2]1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。
Toshiba将继续壮大其SiC电源器件的产品线，并将一如既往地专注于提高效率，降低工业电源设备功耗。
注：
[1] 改进型结势垒肖特基(JBS)结构：该结构将混合式PiN肖特基(MPS)结构整合在JBS结构中，MPS可在大电流下降低正向电压，而JBS不仅可降低肖特基接口的电场，还可减少电流泄漏。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的Toshiba调查。
应用
- 光伏逆变器
- 电动汽车充电站
- 工业设备用开关电源、不间断电源(UPS)
特性
- 第3代1200 V SiC SBD
- 前沿的[2]低正向电压：V F ＝1.27V（典型值）(I F =I F(DC) )
- 低总电容电荷：TRS20H120H的Q C =109nC（典型值）（V R =800V，f=1MHz）
- 低反向电流：TRS20H120H的I R ＝2.0μA（典型值）(V R =1200V)
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主要规格 |
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（除非另有说明，否则T a =25°C） |
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器件型号 |
封装 |
绝对最大额定值 |
电气特性 |
样品查看与 供货情况 |
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重复峰值反向 电压 V RRM (V) |
正向 直流 电流 I F(DC) (A) |
非重复 峰值正向 浪涌电流 I FSM (A) |
正向电压 （脉冲测量） V F (V) |
反向电流 （脉冲测量） I R (μA) |
总电容电荷 Q C (nC) |
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温度条件 T c (°C) |
f=50Hz （半正弦波，t=10ms）， T c =25°C |
I F =I F(DC) |
V R =1200V |
V R =800V，f=1MHz |
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典型值 |
典型值 |
典型值 |
|||||||
|
TO-247-2L |
1200 |
10 |
160 |
80 |
1.27 |
1.0 |
61 |
||
|
15 |
157 |
110 |
1.4 |
89 |
|||||
|
20 |
155 |
140 |
2.0 |
109 |
|||||
|
30 |
150 |
210 |
2.8 |
162 |
|||||
|
40 |
147 |
270 |
3.6 |
220 |
|||||
|
TO-247 |
5（每个引脚） 10（两个引脚） |
160 |
40（每个引脚） 80（两个引脚） |
1.27 （每个引脚） |
0.5 （每个引脚） |
30 （每个引脚） |
|||
|
7.5（每个引脚） 15（两个引脚） |
157 |
55（每个引脚） 110（两个引脚） |
0.7 （每个引脚） |
43 （每个引脚） |
|||||
|
10（每个引脚） 20（两个引脚） |
155 |
70（每个引脚） 140（两个引脚） |
1.0 （每个引脚） |
57 （每个引脚） |
|||||
|
15（每个引脚） 30（两个引脚） |
150 |
105（每个引脚） 210（两个引脚） |
1.4 （每个引脚） |
80 （每个引脚） |
|||||
|
20（每个引脚） 40（两个引脚） |
147 |
135（每个引脚） 270（两个引脚） |
1.8 （每个引脚） |
108 （每个引脚） |
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TRS20H120H
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TRS30N120HB
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。
该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。